去光阻液 正型用去光阻液 產品特性 NS-5000系列為具有優異之光阻剝除能力之去光阻液，適用於正型或負型之光阻系統。NS-5000系列是以高沸點之有機溶劑為配方基礎所開發之去光阻液，兩者均具有不易揮發、不會結冰、高閃火點等優異特性，使用上安全無虞，為無毒性之量產用藥劑，成份中均不含毒性管制物質，且不傷害磊晶層(外延層)及金屬鍍膜層、不影響元件特性。 製程參考條件 使用NS-5000系列剝離光阻披覆之晶片上之光阻時，操作的條件如時間和溫度的控制決定於光阻的製程如預烤溫度等。操作溫度建議為室溫(RT) ~ 95℃均可，操作溫度建議為10 ~ 30分鐘。 儲存條件 應儲放於陰涼通風處，低於25℃。 負型用去光阻液 產品特性 NS-2000系列是以有機溶劑為配方基礎所配製，使用於去除負型光阻之專用去光阻液，為無毒性之量產用藥劑、不會結冰。其獨特配方可100%去除光阻層，不會對高活性金屬（如鋁、鎳等）產生腐蝕性，且不傷害磊晶層(外延層)，金屬層、不影響元件特性 製程參考條件 使用NS-2000系列剝離光阻披覆之晶片上之光阻時，操作的條件如時間和溫度的控制決定於光阻的製程如預烤溫度等。操作溫度為70~100℃，操作時間10 ~ 30分鐘。 儲存條件 應避免日照，並儲放於陰涼通風處，低於25℃。 通用型去光阻液 產品特性 NS-1000系列是以有機溶劑為配方基礎所配製，使用於去除正型或負型光之中性去光阻液，為無毒性之量產用藥劑，不含毒性管制物質、不含酚及鹵素基碳水化合物、不會結冰。其獨特配方可100%去除光阻層，不會對金屬（如銅、鎳、鋁等）產生腐蝕性，且不傷害晶片及鍍膜層、不影響元件特性。 製程參考條件 使用NS-1000系列剝離光阻披覆之晶片上之光阻時，操作的條件如時間和溫度的控制決定於光阻的製程如預烤溫度等。一般設定為60 ~ 90℃ ，10 ~ 30分鐘。 儲存條件 應避免日照，並儲放於陰涼通風處，低於25℃。 乾膜(dry film)專用去光阻液 產品特性 乾膜光阻專用系列為針對乾膜光阻之光阻剝除能力之去光阻液，適用於正型或負型之光阻系統。可於室溫操作之有機溶劑為配方基礎所開發之高效能去光阻液，為無毒性之量產用藥劑，成份中均不含毒性管制物質，且不傷害金屬鍍膜層、不影響元件特性。 製程參考條件 使用乾膜光阻專用系列剝離光阻披覆之晶片上之光阻時，操作的條件如時間和溫度的控制決定於光阻的製程如預烤溫度等。操作溫度建議為室溫，操作溫度建議為5 ~ 30分鐘。 儲存條件 應儲放於陰涼通風處，低於25℃。
