去光阻液 正型用去光阻液 产品特性 NS-5000系列为具有优异之光阻剥除能力之去光阻液，适用於正型或负型之光阻系统。NS-5000系列是以高沸点之有机溶剂为配方基础所开发之去光阻液，两者均具有不易挥发、不会结冰、高闪火点等优异特性，使用上安全无虞，为无毒性之量产用药剂，成份中均不含毒性管制物质，且不伤害磊晶层(外延层)及金属镀膜层、不影响元件特性。 制程参考条件 使用NS-5000系列剥离光阻披覆之晶片上之光阻时，操作的条件如时间和温度的控制决定於光阻的制程如预烤温度等。操作温度建议为室温(RT) ~ 95℃均可，操作温度建议为10 ~ 30分钟。 储存条件 应储放於阴凉通风处，低於25℃。 负型用去光阻液 产品特性 NS-2000系列是以有机溶剂为配方基础所配制，使用於去除负型光阻之专用去光阻液，为无毒性之量产用药剂、不会结冰。其独特配方可100%去除光阻层，不会对高活性金属（如铝、镍等）产生腐蚀性，且不伤害磊晶层(外延层)，金属层、不影响元件特性 制程参考条件 使用NS-2000系列剥离光阻披覆之晶片上之光阻时，操作的条件如时间和温度的控制决定於光阻的制程如预烤温度等。操作温度为70~100℃，操作时间10 ~ 30分钟。 储存条件 应避免日照，并储放於阴凉通风处，低於25℃。 通用型去光阻液 产品特性 NS-1000系列是以有机溶剂为配方基础所配制，使用於去除正型或负型光之中性去光阻液，为无毒性之量产用药剂，不含毒性管制物质、不含酚及卤素基碳水化合物、不会结冰。其独特配方可100%去除光阻层，不会对金属（如铜、镍、铝等）产生腐蚀性，且不伤害晶片及镀膜层、不影响元件特性。 制程参考条件 使用NS-1000系列剥离光阻披覆之晶片上之光阻时，操作的条件如时间和温度的控制决定於光阻的制程如预烤温度等。一般设定为60 ~ 90℃ ，10 ~ 30分钟。 储存条件 应避免日照，并储放於阴凉通风处，低於25℃。 干膜(dry film)专用去光阻液 产品特性 干膜光阻专用系列为针对干膜光阻之光阻剥除能力之去光阻液，适用於正型或负型之光阻系统。可於室温操作之有机溶剂为配方基础所开发之高效能去光阻液，为无毒性之量产用药剂，成份中均不含毒性管制物质，且不伤害金属镀膜层、不影响元件特性。 制程参考条件 使用干膜光阻专用系列剥离光阻披覆之晶片上之光阻时，操作的条件如时间和温度的控制决定於光阻的制程如预烤温度等。操作温度建议为室温，操作温度建议为5 ~ 30分钟。 储存条件 应储放於阴凉通风处，低於25℃。
