半導體表面粗化劑 砷化鎵(GaAs)/磷化鎵(GaP)表面粗化劑 產品特性無毒之高效能粗化劑，可均勻粗化表面，達到工程上之需求。製程參考條件操作的溫度條件的控制設定為20 ~ 60℃，操作時間則須視粗化條件調整。 儲存條件應避免日照，並儲放於陰涼通風處，低於25℃。 磷化銦(InP)表面粗化劑 產品特性無毒之高效能粗化劑，可均勻粗化表面，達到工程上之需求。製程參考條件操作的溫度條件的控制設定為20 ~ 60℃，操作時間則須視粗化條件調整。 儲存條件應避免日照，並儲放於陰涼通風處，低於25℃。
