半导体表面粗化剂 砷化镓(GaAs)/磷化镓(GaP)表面粗化剂 产品特性无毒之高效能粗化剂，可均匀粗化表面，达到工程上之需求。制程参考条件操作的温度条件的控制设定为20 ~ 60℃，操作时间则须视粗化条件调整。 储存条件应避免日照，并储放於阴凉通风处，低於25℃。 磷化铟(InP)表面粗化剂 产品特性无毒之高效能粗化剂，可均匀粗化表面，达到工程上之需求。制程参考条件操作的温度条件的控制设定为20 ~ 60℃，操作时间则须视粗化条件调整。 储存条件应避免日照，并储放於阴凉通风处，低於25℃。
